3D NAND，又称三维NAND，指通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度的的闪存类型。与传统2D NAND相比，3D NAND具有耐用性好、读写速度快、功耗低、存储容量大等优势，适用范围极广。
   3D NAND在物联网、消费电子、数据中心、医疗设备、汽车制造、航空航天、国防军工等众多领域拥有广阔应用前景。在消费电子领域，3D NAND可应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的存储单元；在数据中心领域，其可用于构建企业级数据中心存储系统，具备高可靠性以及高效能等优势；在国防军工领域，其可在极端恶劣环境中实现数据存储，可用于军用无人机以及军用卫星通信系统。
    2D NAND，又称平面NAND，为传统NAND FLASH闪存技术，其单位面积存储容量难以继续提高，目前行业发展受限。伴随应用需求增长，3D NAND逐渐代替2D NAND，成为闪存主流技术。2023年全球3D NAND市场规模超过500亿美元，同比增长近20%。未来随着技术进步，3D NAND行业发展速度将进一步加快，预计到2028年将占据闪存市场近99%的份额。
   全球3D NAND市场主要参与者包括韩国三星集团（Samsung）、韩国海力士株式会社（SK hynix）、日本东芝株式会社（TOSHIBA）、美国西部数据公司（Western Digital）、美国英特尔公司（Intel）、美国美光科技股份有限公司（Micron Technology）等。三星集团为全球较早推出3D NAND产品的企业之一，目前公司正在积极推进高叠层数3D NAND闪存芯片的研发工作，已具备236层3D NAND闪存芯片量产能力。
   在本土方面，与海外发达国家相比，我国3D NAND行业起步较晚，于2016年才实现相关产品批量化生产。长江存储、东芯股份等为我国3D NAND市场主要参与者。长江存储专注于3D NAND闪存技术的设计及研发，目前已具备32层3D NAND芯片、128层QLC 3D NAND闪存芯片以及232层3D NAND闪存芯片量产能力。长江存储基于Xtacking 3.0技术推出的3D NAND闪存芯片X3-9070，在产品性能及技术水平上已达到全球领先。
   3D NAND作为一种高性能闪存技术，在众多领域拥有广阔应用前景。未来伴随技术进步以及应用需求日益旺盛，3D NAND市场规模将持续增长。在市场竞争方面，与海外发达国家相比，我国3D NAND行业起步较晚，但发展势头迅猛，本土企业已具备高性能产品生产实力。