砷化镓外延片，又称GaAs外延片，指利用外延生长技术在砷化镓衬底上形成的单晶薄膜。砷化镓外延片通常具备电子迁移率高、高频特性好等电学性能，在通信系统、半导体制造、光电器件、光伏发电等领域应用较多。
为规范市场发展，我国有关部门已出台多项砷化镓外延片行业标准及团体标准，主要包括《微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范》、《砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法》、《砷化镓外延片》等。受益于行业标准不断完善，我国高质量砷化镓外延片市场占比将有所提升。
砷化镓外延片制备方法众多，主要包括分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、化学束外延法（CBE）、气相外延法（VPE）、原子层外延法（ALE）、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）等。气相外延法指将气态砷化镓前驱体与氢气混合，经加热、沉积等流程制得成品，该法为砷化镓外延片主流制备方法，目前已被我国多家厂商采用。
砷化镓外延片在通信系统、半导体制造、光电器件、光伏发电等领域应用较多。在通信系统领域，砷化镓外延片可用于砷化镓功率放大器中，能够提升信号传输质量，5G通信基站为其主要应用场景；在半导体制造领域，其可用于集成电路制造以及封测环节；在光电器件领域，其可用于垂直腔面发射激光器、LED照明器件制备过程中；在光伏发电领域，其可用于制造砷化镓光伏电池。
我国砷化镓外延片主要生产商包括先导科技集团有限公司、厦门乾照光电股份有限公司、中科芯电半导体科技（北京）有限公司等。先导集团具备2-6英寸砷化镓外延片自主研发及生产实力，产品在光伏以及半导体器件制造过程中应用较多；乾照光电专注于光伏电池用砷化镓外延片的研发、生产及销售，据其企业半年报显示，2024年上半年公司外延片及芯片产品实现营收9.5亿元。
砷化镓外延片在众多领域应用广泛，未来伴随下游行业发展速度加快，其市场空间将进一步扩展。随着行业标准不断完善以及技术进步，我国砷化镓外延片产量及质量不断提升。在市场竞争方面，我国已有多家企业具备砷化镓外延片自主研发及生产实力，未来其行业发展前景将持续向好。