集成无源器件（IPD）是将电子产品中的电容器、电阻器和电感器三大无源元件埋入于电路内部，使之成为独立的封装模块。IPD是随着电子设备小型化、集成化而发展起来的一种新技术，相比于传统技术，具有电路表面积小、封装密度高、引线互连少、成本低等优势。
　　IPD是实现模组高性能、集成化、小型化核心技术的基础。近年来，受集成化、小型化、高性能需求驱动，IPD在滤波器、双工器、功分器、衰减器、耦合器等无源器件上应用越来越广泛，终端涉及到智能手机、汽车电子、智能可穿戴设备、高端通信等多个领域，预计2025年全球薄膜IPD市场规模将达到6.8亿美元。
　　合适的基底材料是先进IPD技术开展的前提，目前硅是IPD主流基底材料，但硅在插入损耗、介质损耗方面存在一定限制，近年来，玻璃、GaAs（砷化镓）等硅替代基底材料研究不断深入，并在射频集成无源器件等场景得到实际应用。
　　玻璃基板具有低介电损耗、高热稳定性、高电阻率、可调热膨胀系数等优势，可进一步提高无源器件的性能和集成度。目前康宁、旭硝子、肖特集团等国外玻璃基板企业占据全球市场主导，我国玻璃基板供应商有京东方科技、洛阳玻璃等。相比于硅通孔（TSV）基板制成的IPD，玻璃通孔（TGV）制成的IPD更具应用潜力，近年来，越来越多的企业加快布局玻璃通孔IPD市场。
　　在全球市场上，IPD市场参与者分为专门制造商、整合器件制造商、半导体装配和测试的供应商，具体包括美国Johanson Technology公司、美国AVX公司、日本村田、意法半导体、3D Glass Solutions（3DGS）公司、中国台湾日月光、厦门云天半导体、森丸电子、苏州甫一电子科技、安徽芯淮电子等，其中3DGS公司是全球玻璃基3D无源射频器件的领先企业。
根据制程技术不同，IPD技术分为厚膜制程和薄膜制程，其中厚膜制程技术包括基于陶瓷基板的低温共烧陶瓷（LTCC）技术、印制电路板预埋无源元件技术等。IPD是实现器件小型化的关键技术之一，可应用于滤波器、双工器、巴伦、耦合器、功分器等各种射频无源器件，近年来，受小型化、集成化发展需求，IPD应用空间进一步扩大。