按照特性及原材料不同，压电薄膜可分为压电单晶薄膜以及压电多晶薄膜两种类型。压电单晶薄膜，指以铌酸锂、钽酸锂、石英等压电单晶材料为基材制成的压电薄膜。压电单晶薄膜可将机械能转换为电能，具备结构稳定、耐高温、可控性强等优势，在光电器件、微电子器件、通信器件以及能源存储等领域拥有巨大应用潜力。
   压电单晶薄膜主要以铌酸锂、钽酸锂、石英等为原材料制成，铌酸锂和钽酸锂在其制备过程中应用较多。铌酸锂晶体作为新型无机材料，具备光透过范围宽、光电效应丰富、化学稳定性好等优势，在压电材料、光电材料、铁电材料制备过程中需求旺盛。受益于技术进步，我国铌酸锂晶体产量持续增长。2023年我国铌酸锂单晶产量达到近200万片。原材料优势将为我国压电单晶薄膜行业发展奠定良好基础。
   压电单晶薄膜制备方法包括化学气相沉积法（CVD）、液相外延法（LPE）、分子束外延法（MBE）、溶胶-凝胶法、水热合成法、脉冲激光沉积法（PLD）以及磁控溅射法等。分子束外延法指在高真空条件下使原材料蒸发并沉积于基板上，进而制成薄膜，该法具有成品质量好、参数易控制等优势。
   压电单晶薄膜在众多领域拥有潜在应用价值。在微电子器件领域，压电单晶薄膜可用于制造集成电路、二极管以及晶体管等。近年来，随着全球半导体产业向我国大陆转移，我国集成电路产量持续增长。据国家工信部统计数据显示，2023年我国集成电路产量达到3514亿块，同比增长6.9%。在应用需求带动下，我国压电单晶薄膜行业发展空间将进一步扩展。
   我国压电单晶薄膜主要生产商包括济南晶正电子科技有限公司、珠海晶讯聚震科技有限公司等。晶正电子具备铌酸锂单晶薄膜以及钽酸锂单晶薄膜自主研发及批量生产实力，产品在射频滤波器、光电探测器以及电光调制器中应用较多。
   压电单晶薄膜作为压电薄膜细分产品，性能优异，在众多领域拥有巨大应用潜力。随着下游行业发展速度加快，我国压电单晶薄膜将迎来广阔市场前景。预计未来一段时间，伴随技术进步，我国压电单晶薄膜生产成本有望降低，届时其出货量将进一步增长。