硅基氮化镓（GaN-on-Si），指在硅衬底上生长氮化镓薄膜而制成的化合物半导体材料。硅基氮化镓具备击穿电场强度高、电子迁移率高、带隙宽等优势，在通信系统、半导体制造、电力系统等领域拥有潜在应用价值。
   近年来，随着本土企业及相关科研机构持续发力，我国硅基氮化镓相关专利数量不断增加，主要包括《一种硅基氮化镓功率器件》、《一种硅基氮化镓外延结构》、《硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片》、《一种硅基氮化镓微波器件及制备方法》、《一种硅基氮化镓单片集成电路》、《硅基氮化镓外延结构及其制备方法》等。未来伴随研究深入，我国硅基氮化镓行业发展速度将进一步加快。
   硅基氮化镓在通信系统、半导体制造、电力系统等领域拥有潜在应用价值。在通信系统领域，硅基氮化镓可用于移动设备射频前端以及5G基站功率放大器中，能够实现稳定通信连接以及快速数据传输；在半导体制造领域，其作为半导体材料，可用于制造集成电路，产品具备热管理能力强、工艺能量密度高等优势；在电力系统领域，其可用于制造电源功率器件以及电源转换模组。
    硅基氮化镓外延片为硅基氮化镓下游产品，具备集成度高、禁带宽度大、耐高温、热导率高等优良特性，可用于制造微波器件、功率器件以及高频器件等。近年来，我国企业及相关科研机构不断加大对于硅基氮化镓外延片的研发投入力度，目前已取得众多新进展。未来随着硅基氮化镓外延片行业发展速度加快，硅基氮化镓应用需求将进一步增长。
   全球硅基氮化镓市场主要参与者包括法国Soitec、法国Exagan、意法半导体、德国英飞凌等。在本土方面，我国硅基氮化镓行业集中度较高，代表企业包括大连芯冠、捷芯威、聚力成、士兰微、华润微以及英诺赛科等，英诺赛科为全球首家具备8英寸硅基氮化镓晶圆生产实力的企业。 
硅基氮化镓性能优异，在半导体制造领域拥有潜在应用价值。未来伴随全球半导体产业逐渐向我国大陆转移，硅基氮化镓市场空间将得到进一步扩展。目前，我国已有多家布局硅基氮化镓行业研发及生产赛道，英诺赛科作为代表企业，占据市场较大份额。