大尺寸超高纯立方碳化硅，是半导体材料，是一种直径、纯度达到一定标准的立方相碳化硅材料。
　　立方碳化硅（β-SiC/3C-SiC），立方晶系，晶体结构及性能与金刚石相似，具有硬度高、化学稳定性好、耐高温、耐辐射、热导率高、热膨胀系数低、能带间隙宽、电子迁移率高、电子漂移速度快、击穿场强高、导电性好等特点，可以广泛应用在特种材料、精密加工、电子信息、军工国防、航空航天等领域。现阶段，我国立方碳化硅研制能力已经达到国际先进水平，代表性企业主要是西安博尔新材料有限责任公司。
　　利用立方碳化硅作为半导体材料来制备晶体管等半导体器件，与常见的4H碳化硅器件相比，可靠性大幅提高。立方碳化硅晶体管制备需要采用大尺寸超高纯立方碳化硅作为衬底。与微粉高纯度立方碳化硅相比，大尺寸超高纯立方碳化硅在生长过程中易发生相变，难以获得单一晶型晶体，制备难度大。
　　大尺寸超高纯立方碳化硅制造的半导体器件，可以应用在电子、通信、光伏、新能源汽车、航天、军工等高技术产业中，其导电性、耐高温性、导热性、抗热震性等性能明显优于其他材料，因此开发与应用必要性突出。
　　2024年8月，我国工信部关于发布国家重点研发计划“高性能制造技术与重大装备”等16个重点专项2024年度项目申报指南的通知中，在高端功能与智能材料-特种及前沿功能材料方面，提出面向先进半导体制程对超高纯、耐腐蚀、耐高温SiC零部件的迫切需求，研发大尺寸超高纯超厚SiC材料的CVD快速稳定制备技术。
　　我国工信部国家重点研发计划中对大尺寸超高纯立方碳化硅的指标要求是，SiC材料晶体结构为立方相，纯度≥99.9999%，密度3.20-3.21g/cm3，直径≥450mm，厚度≥20mm，硬度2900-3300kg/mm2。
   我国大尺寸超高纯立方碳化硅研发技术瓶颈正在逐步突破。2024年1月，中国科学院物理研究所团队利用高温液相法，实现了相同过饱和度条件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生长过程中的相变，在国际上首次生长出了直径2-4英寸、厚度4-10mm、单一晶型的3C-SiC单晶。2024年11月，北京晶格领域半导体有限公司公开一项名为“一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法”的专利。