光掩模又称掩模版、光刻掩模版，是光刻工艺中关键部件之一，光掩模主要通过掩膜写入器来完成。掩模写入器是一种利用电子束照射在模板上绘制精细电子电路图案的设备。
　　掩模写入器分为单波束掩膜写入器、多波束掩膜写入器，其中多波束掩膜写入器具有并行写入、掩模质量高、制作速度快等优势。近年来，随着芯片微型化发展，市场对掩膜写入的精度、效率有了更高要求，多波束掩膜写入器应用需求随之释放。
　　根据生产节点不同，多束掩模写入器分为3nm及以下、5nm、7nm及以上等类型。不同生产节点的多束掩模写入器在应用上存在一定差异，其中3nm及以下多束掩模写入器可用于高性能计算、先进AI系统、超高性能芯片等领域，7nm及以上多束掩模写入器多用于消费电子、数据中心、智能家居设备、汽车等领域。
　　近年来，受消费电子、人工智能、物联网、汽车等领域推动，先进半导体设备市场需求不断释放，多波束掩膜写入器市场规模随之扩大，2024年全球多波束掩膜写入器市场规模约9.6亿美元，预计2030年这一市场规模将增长至20.0亿美元左右。
　　在国际市场上，多波束掩膜写入器主要制造商包括奥地利IMS nanofabrication公司、日本纽富来（NuFlare Technology）、日本爱德万测试（Advantest Corporation）、德国Raith GmbH、瑞典Mycronic AB等。奥地利IMS nanofabrication公司在多束电子束光刻领域具有领先地位，其开发并生产了全球首个用于半导体行业的多波束掩膜写入器，市场占比遥遥领先。
　　近年来，随着技术突破、政策利好，我国半导体全产业链国产替代进程不断推进，在光掩模领域，我国企业已具备先进制程半导体光掩模生产能力，如清溢光电、路维光电等。在科技独立自主背景下，先进的光掩模及多波束掩膜写入器企业将优享国产替代红利。
　　多波束掩膜写入器是制造光掩模的关键设备，具有并行写入、高吞吐量等特点，能够满足复杂芯片的设计需求，近年来，随着芯片设计复杂性增加，多波束掩膜写入器应用越来越广泛。多波束掩膜写入器技术壁垒高，目前国外企业占据全球市场主导，我国市场还存在较大国产替代空间。