氮化铝薄膜，又称AlN薄膜，指由氮和铝元素通过化学键合制成的无机非金属薄膜材料。氮化铝薄膜具备化学稳定性好、热稳定性佳、耐磨性好、电学性能好等优势，在电子电气、国防军工、通信系统以及航空航天等领域拥有巨大应用潜力。
   氮化铝薄膜制备方法包括物理气相沉积法（PVD）以及化学气相沉积法（CVD）两种。化学气相沉积法可细分为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、常压化学气相沉积法（APCVD）以及低压化学气相沉积法（LPCVD）等。PECVD法可在低温条件下实现薄膜生长，具备成品质量好、参数易控制等优势，未来有望成为氮化铝薄膜主流制备方法。
   氮化铝薄膜在众多领域拥有巨大应用潜力，主要包括电子电气、国防军工、通信系统以及航空航天等。在电子电气领域，氮化铝薄膜作为衬底材料以及封装材料，可用于功率电子器件制备环节；在国防军工领域，其可用于制造导弹传感器、战场光学设备透镜等；在通信系统领域，其可用于制造微波射频器件；在航空航天领域，其可用于制造飞行控制系统传感器。
   近年来，我国氮化铝薄膜研发热情持续高涨，已取得众多新进展。2024年7月，北京理工大学物理学院与北京计算科学研究中心、北京大学研究团队合作，基于氮化铝薄膜与石墨烯的相互作用，成功发现出一种新型氮化铝薄膜生长模型——杂化范德华外延（HVE）模型，未来该项成果将在宽禁带半导体材料研究过程中获得应用。
   中瓷电子、先为科技、艾森达新材、森远股份等为我国氮化铝薄膜市场主要参与者。中瓷电子专注于电子陶瓷系列产品的研发、生产及销售，目前，公司已具备氮化铝薄膜批量生产实力，产品在高频高速光模块中已获得广泛应用。据中瓷电子企业半年报显示，2024年上半年公司电子陶瓷材料及元件实现营收8.2亿元。
   氮化铝薄膜作为一种高性能无机非金属薄膜，应用潜力巨大。未来伴随市场需求逐渐释放，我国氮化铝薄膜行业发展速度将不断加快。受益于研究深入、技术进步，氮化铝薄膜行业景气度有所提升。在市场竞争方面，我国已有多家企业布局氮化铝薄膜行业研发及生产赛道，未来其行业发展态势将持续向好。