N型碳化硅衬底，指通过掺杂氮（N）等特定类型杂质元素而制成的碳化硅单晶片。N型碳化硅衬底具备电子迁移率高、自由电子浓度高、高温稳定性好等优势，在射频通信、电子电气以及光电子器件等领域需求旺盛。
   碳化硅为N型碳化硅衬底主要原材料，占据其较大生产成本。碳化硅具备耐高频、耐高温、耐高压等特性，适用范围较广。近年来，伴随技术进步，我国碳化硅产量持续增长。原材料供应充足将为N型碳化硅衬底行业发展提供有利条件。
   N型碳化硅衬底主要应用于射频通信、电子电气以及光电子器件等领域。在射频通信领域，N型碳化硅衬底可用于制造高能射频通信器件，产品可满足卫星通信、5G通信领域对于信号处理和传输的要求；在电子电气领域，其可用于制造场效应晶体管以及双极型晶体管；在光电子器件领域，其可用于制造紫外探测器、激光二极管以及发光二极管等光电子器件。
   受益于应用需求日益旺盛，全球N型碳化硅衬底行业景气度有所提升。以6英寸N型碳化硅衬底为例，2024年全球6英寸N型碳化硅衬底销量达到近130万片，同比增长超过15%。未来随着技术进步以及下游行业发展速度加快，N型碳化硅衬底销量还将进一步增长。预计到2030年，全球6英寸N型碳化硅衬底销量将突破250万片。
   全球N型碳化硅衬底主要生产商包括日本罗姆半导体株式会社（Rohm）、韩国SK集团、美国Wolfspeed公司等。在本土方面，我国N型碳化硅衬底市场主要参与者包括天科合达、天岳先进以及烁科晶体三家。天岳先进专注于碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，具备导电型碳化硅衬底以及半绝缘型碳化硅衬底自主研发及批量生产实力。目前，天岳先进已成功开发出全球首枚12英寸导电N型碳化硅衬底，产品未来有望在光伏储能、大尺寸单片晶圆等领域获得应用。
   N型碳化硅衬底作为一种导电型碳化硅衬底，综合性能优良，应用范围较广。受益于原材料供应充足以及技术进步，我国N型碳化硅衬底行业发展速度有所加快。目前，我国企业已具备大尺寸N型碳化硅衬底自主研发及生产实力，未来其行业景气度将不断提升。