碲镉汞红外焦平面组件，是碲镉汞红外焦平面探测器的核心组成部分，主要包括芯片制备、读出电路设计等关键技术。
　　红外焦平面阵列，也称红外焦平面，英文缩写IRFPA，在单个芯片上集成大量探测元件，形成焦平面阵列，可以同时捕捉与处理大量红外信号，将红外辐射直接转换为电信号。红外焦平面探测器具有灵敏度高、空间分辨率高、图像质量高、响应速度快等优点，是一种高端红外探测器。
　　在已经开发问世的红外探测材料中，碲镉汞（HgCdTe），英文缩写MCT，为窄禁带半导体材料，具有本征载流子浓度低、波段覆盖范围广、带隙连续可调、量子效率高等优点，应用最为广泛。碲镉汞可以在碲锌镉（CdZnTe）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）等衬底上外延生长得到。
　　碲镉汞红外探测器技术持续进步，早期以碲镉汞晶体为敏感元件，制造单个红外光电探测器，现阶段，以碲镉汞外延片为敏感元件，制造红外焦平面探测器。近年来，我国碲镉汞红外焦平面探测器技术发展迅速，高性能、大面阵碲镉汞红外焦平面探测器需求持续增加，因此碲镉汞红外焦平面组件研究热情高涨。
　　当前，碲镉汞红外焦平面组件的面阵规模正在不断扩大，向1k×1k、2k×2k等大规模面阵方向发展。传统碲镉汞外延片制备采用碲锌镉基衬底，其成本高且尺寸提升难度大，硅基衬底、砷化镓基衬底受到关注，但存在晶格失配问题，制备技术仍在持续突破。利用分子束外延（MBE）技术可以在衬底上生长碲镉汞外延层，进而制造碲镉汞红外焦平面组件。
　　在我国，碲镉汞红外焦平面组件相关研究机构主要有华北光电技术研究所（中国电子科技集团公司第十一研究所）、昆明物理研究所（中国兵器科学研究院）等。
　　昆明物理研究所团队在碲锌镉（CZT）衬底上采用分子束外延（MBE）技术生长出P-P-P结构中长波双色碲镉汞薄膜材料，制备出中长波双色640×512红外焦平面芯片，获得中长波双色红外焦平面组件，相关研究成果发表于《红外与毫米波学报》期刊。
   中国电子科技集团公司第十一研究所突破了高有效像元率小间距混成芯片制备、低噪声高帧频小间距读出电路设计等关键技术，研制出中波1280×1024（10μm像元中心间距）碲镉汞红外焦平面组件，被列入《中央企业科技创新成果产品手册（2022年版）》推荐目录。