碳化硅作为第三代半导体核心材料，因其耐高压、耐高温、高频性能优越等特性，成为功率器件升级的关键路径。碳化硅器件是以碳化硅为核心材料制成的半导体器件。碳化硅器件主要产品包括MOSFET、二极管、功率器件等，广泛应用于新能源车、光伏逆变器、轨道交通等领域，相比传统硅基器件可显著降低能量损耗并提升系统效率。
    国际巨头如美国Wolfspeed、日本罗姆已构建从衬底到器件的全产业链壁垒，英飞凌、安森美、三菱电机、意法半导体等依托其在功率器件方面深厚的技术积累，涉足碳化硅器件领域，并凭借良好的品牌形象和丰富的客户资源占据了一定市场份额，促进了技术研发、产能扩张与市场开发的同步推进。整体来看，欧美日企业通过专利布局形成技术护城河，且通过跨国合作及并购，产业联盟逐步成型。与此同时，受前期高速扩张及市场需求波动影响，全球碳化硅器件行业充满调整，如近期Wolfspeed宣告破产，一方面暴露了部分碳化硅器件企业的发展问题，也为其他碳化硅器件企业的市场扩张及并购整合提供了机遇。
    在政策端，"十四五"规划明确支持第三代半导体发展，并基于“02专项”出台多项支持性政策，推动了中国碳化硅器件相关产业的全面发展，长三角、珠三角涌现多个产业化基地。目前，国内已形成衬底（天科合达、山东天岳）、外延（瀚天天成）、器件、设备（晶盛机电、北方华创）的完整产业链雏形。尤其是器件方面，已有士兰微、三安光电、杨杰科技、中车时代等多家企业涉足，极大地推动中国碳化硅器件产业化发展。但在核心衬底良率、器件可靠性等关键技术方面国内与国外领先企业仍存差距，IDM模式企业正通过垂直整合提升竞争力。
    全球范围内碳化硅功率器件正加速替代硅基IGBT，尤其在800V高压平台需求驱动下，车规级碳化硅功率器件需求明显增长；而光伏储能领域因组串式逆变器升级也给碳化硅器件市场带来新增长点；工业电源、数据中心等传统场景的节能改造领域的碳化硅器件需求持续释放。推动全球碳化硅器件市场规模持续增长。2024年，全球碳化硅器件市场规模超过150亿元。
   中国作为全球最大的新能源汽车、新能源发电及工业装备生产国，正在加速推进产品升级，加之国内对于数据中心建设的大规模投入，中国市场在全球碳化硅器件市场中的地位日渐重要。在庞大且多样化的需求引导下，中国碳化硅器件行业将实现较快发展，迅速缩小同国外领先企业的差距，构建完善的碳化硅器件研发制造体系。