硅基锗光电探测器，指在硅衬底上外延生长锗吸收层的半导体光电器件。硅基锗光电探测器具备灵敏度高、传输速度快、CMOS兼容性好、尺寸小以及功耗低等特点，在生物医学、通信系统、数据中心、自动驾驶、航空航天以及工业传感等领域拥有巨大应用潜力。
    按照结构不同，硅基锗光电探测器主要包括波导结构硅基锗光电探测器、面入射结构硅基锗光电探测器两种类型。波导结构硅基锗光电探测器具备易于集成优势，在片上光互连场景应用较多；面入射结构硅基锗光电探测器具备灵活性高、结构简单等优势，适用范围较广，为硅基锗光电探测器市场主流产品。
   近年来，随着研究深入，硅基锗光电探测器种类日益丰富，高质量产品市场占比不断提升。光栅导模共振增强型硅基锗光电探测器、谐振腔增强型硅基锗光电探测器、光学超表面增强型硅基锗光电探测器、高带宽波导锗光电探测器、高响应度硅基锗光电探测器等为新型硅基锗光电探测器。光学超表面增强型硅基锗光电探测器基于光学超表面技术制得，可以实现1550nm高效探测。
硅基锗光电探测器在众多领域拥有巨大应用潜力。在生物医学领域，硅基锗光电探测器可用于开发生物传感器，还可用于早期癌症诊断过程中；在通信系统领域，其具备传输速度快、可实现高效集成、灵敏度高等优势，可用于光纤通信技术中；在自动驾驶领域，其可用于自动驾驶汽车雷达系统中。未来伴随下游行业发展速度加快，硅基锗光电探测器市场空间将得到进一步扩展。
   随着行业景气度提升，我国布局硅基锗光电探测器研发及生产赛道的科研机构数量不断增长，主要包括哈尔滨工业大学航天学院、上海集成电路研发中心、华中科技大学、上海大学、武汉光谷信息光电子创新中心等。未来伴随技术进步，我国硅基锗光电探测器行业发展态势将持续向好。
   硅基锗光电探测器作为硅基探测器代表产品，潜在应用价值巨大。从细分产品来看，面入射结构硅基锗光电探测器综合性能优良，适用范围较广。受益于本土企业及相关科研机构持续发力，我国硅基锗光电探测器技术不断进步，其高质量产品市场占比不断提升。