AMB基板，活性金属钎焊陶瓷基板，是一种主流的覆铜陶瓷基板技术，在高温条件下，利用含有活性元素的钎料，与陶瓷反应生成润湿界面，实现陶瓷与金属的结合，制成的基板利用湿法刻蚀工艺在其表面绘制电路。
　　AMB基板通常是在氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）等陶瓷上覆盖铜片制造而成，其中，氮化硅AMB基板机械性能以及耐高温、抗氧化、抗腐蚀性能更为优异。AMB基板具有结合强度高、热导率高、散热性能好、抗热疲劳性优、热循环寿命长、可靠性高等特点，适用于超高压、大电流、高功率密度、高温、高振动的工作场景。
　　AMB基板主要用来制造功率半导体模块，例如IGBT模块，能够满足大功率、大电压、大电流、高热导率、高可靠性的中高端IGBT模块制造需求。氮化硅AMB基板可以将厚铜片焊接到薄氮化硅陶瓷之上，由于氮化硅陶瓷热膨胀系数与碳化硅陶瓷接近，且热导率高，因此氮化硅AMB基板是碳化硅功率半导体器件导热基板的首选。
　　AMB基板可以广泛应用在通信、电网、风力发电、光伏发电、充电桩、新能源汽车、轨道交通、工业控制、航空航天等领域。在新能源汽车领域，800V高压技术成为发展趋势，目的是提升充电速度、降低能量损耗、提高汽车动力性能，在800V电气架构下，需要采用碳化硅功率模块，因此氮化硅AMB基板在新能源汽车领域发展空间大。
　　受益于新能源汽车等产业迅猛发展，以及市场对高性能基板需求日益旺盛，全球AMB基板市场呈现快速增长态势。2024年，全球AMB基板市场规模约为5.57亿美元，预计2024-2030年将继续以18.3%左右的年复合增长率上升，到2030年市场规模将达到15.28亿美元。
　　当前，在我国IGBT等功率半导体器件基板制造中，DBC（直接覆铜）技术仍占据较大份额，但在高功率、大电压、高性能要求下，中高端市场方面AMB基板替代步伐正在加快。
　　在海外市场中，AMB基板生产商主要有罗杰斯（ROGERS）、贺利氏（Heraeus）、NGK Electronics Devices、三菱综合材料（Mitsubishi Materials Corporation）、东芝材料（Toshiba Materials）、电气化学（Denka）等；在我国市场中，AMB基板生产企业主要有江苏富乐华半导体科技股份有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、上海铠琪科技有限公司、无锡天杨电子有限公司等。