光芯片行业加速向“高集成度+场景定制”迭代，核心技术聚焦硅光调制效率（带宽≥67GHz）、CPO共封装热管理（功耗降50%）及车规级可靠性（85℃@5000小时）。挑战在于III-V族材料外延缺陷率（>0.5/cm²）、高端光刻设备依赖（自给率<20%）及美日专利壁垒（80%核心专利被垄断）；机遇源自“东数西算”推动1.6T光模块需求（年增60%）、汽车激光雷达芯片渗透（2026年单车搭载量达8颗）及量子通信探测效率突破（>25%）。未来需突破铌酸锂薄膜一致性（波长精度±0.03nm）、III-V族/硅基异质集成及超低损耗波导（插损≤0.1dB/cm）。