IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的高输入阻抗与BJT（双极型晶体管）的低导通压降优势。其核心结构由四层半导体（P+/N-/P-body/N+）和MOS栅极构成，形成类似“MOS栅控双极晶体管”的复合结构。IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，被称为电力电子行业里的“CPU”。

近年来，中国IGBT行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励IGBT行业发展与创新，《新产业标准化领航工程实施方案（2023─2035年）》《制造业可靠性提升实施意见》《关于推动能源电子产业发展的指导意见》等产业政策为IGBT行业的发展提供了明确、广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。