IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的高输入阻抗与BJT（双极型晶体管）的低导通压降优势。其核心结构由四层半导体（P+/N-/P-body/N+）和MOS栅极构成，形成类似“MOS栅控双极晶体管”的复合结构。IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，被称为电力电子行业里的“CPU”。

IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。2024年全球IGBT的市场规模约为75亿美元，较上年增长5.6%。受益于新能源汽车、风光储、工业控制等领域需求的爆发式增长， 2025年全球IGBT市场规模将达到80亿美元。

在双碳战略驱动和人工智能浪潮下，市场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升，进而推动市场对各类半导体功率器件需求持续增加，IGBT等半导体功率器件将成为国民经济发展中不可或缺的电子元器件。2024年中国IGBT市场规模达到223.3亿元，较上年增长10.7%。2025年中国IGBT市场规模将达到244.9亿元。